隨著移動裝置、資訊設備等的性能要求不斷提高，記憶體、微處理器等半導體的高度積體化需求也日益增加。
2022年，3nm邏輯節點（最小圖形尺寸12nm）已經到來，並計劃於今年迎來2nm邏輯節點（最小圖形尺寸10nm）。
在本課題中，將首先介紹最新的發展路線圖，隨後詳細介紹支撐3nm邏輯節點及以後技術的微影技術和光阻劑的最先端進展。重點將包括高NA EUV微影技術、EUV金屬光阻劑、EUV金屬乾光阻劑製程、以及定向自組裝（DSA）微影技術等最新的技術動向。
鎮最後，將總結未來的展望和市場趨勢。
【大綱目次】
一、路線圖
1-1 IRDS
．微影技術的需求特性
．光阻劑與微細加工材料的需求特性
1-2 應對微細化的微影技術選擇
1-3 最先進設備的發展趨勢
二、微影技術與光阻劑的最先進技術
2-1 雙重/多重圖形化
．雙重/多重圖形化的基本原理與挑戰
．微影蝕刻（LE）製程
．自對準（SA）製程
2-2 EUV微影技術
．EUV微影技術的特點
．EUV微影技術的基本原理與挑戰：曝光裝置、光源、光罩(Mask)、製程
．高NA EUV微影技術的現狀與挑戰
．EUV光阻劑詳解
EUV光阻劑基本原理
EUV光阻劑需求特性
EUV光阻劑設計指南
EUV光阻劑挑戰與對策：敏感度/解析度/粗糙度的權衡、隨機缺陷（隨機效應）
EUV光阻劑發展動向：負型光阻劑、使用聚合物結合酸發生劑的化學增強型光阻劑
EUV金屬光阻劑：金屬光阻劑的特點、性能、金屬增感劑
EUV金屬乾光阻劑製程
2-3 定向自組裝（DSA）微影技術
．石墨外延生長
．化學外延生長
三、微影與光阻劑的未來技術展望
四、光阻劑的市場動向
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