一、 後CMP清洗劑的機能設計
1-1 清洗劑所對應的目標污染物和其功能要求
1-2 清洗中的課題
1-3 清洗作用機構
1-4 清洗劑的化學材料和配合設計
1-5 酸性/鹼性的清洗劑機能設計
二、基板表面/界面評估技術
2-1 後CMP清洗的機能評估
2-2 顆粒異物去除性評估
2-3 有機殘渣評估
(a) 殘渣溶解試驗
(b) 通過石英振子微平衡（QCM）進行的溶解性評估
(c) Open circuit potential (OCP)的吸附、脫離行為分析
(d) ToF-SIMS的表面殘渣分析
2-4 基板表面電路腐蝕、表面氧化狀態分析
(a) 基於XPS的金屬氧化狀態的分析
(b) 電化學還原分析
(c) 基於AFM/KFM的局部結構分析
(d) 基於Tafel Plot的Galvanic腐蝕評估
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