在 AI 資料中心基板急速擴大的背景下，Backplane 基板、GP-GPU Chiplet 基板等開發動向備受關注。
特別是在節點間，從 400GbE 過渡至 800GbE（112Gbps, PAM4）的基板材料開發正在進行中（例如 M9 等）。未來的下一代目標，是開發可對應 1.6TbE 的基板材料。
先端材料方面，低 Dk（為降低 Skew 目的）且頻率變動小的氟樹脂與 HC（碳氫化合物系材料）受到重視，日本材料廠商目前處於領先地位，但全球材料開發競爭已經開始。此外，相關的高功能填料與高速 BS 材料也在同步開發中。
在節點內部（GPU 間），可期待達到 ns 級延遲與 TB/s 級頻寬，節點間則以乙太網或 Broadcom Tomahawk 系列交換晶片 或 InfiniBand 實現 μs 級延遲。
本講演將對這些新材料技術動向進行詳解，並以實際採用基板為例說明技術細節，包括：
（1）開關基板（ASIC 搭載 PCB）
（2）線路卡基板（Switch Line Card）
（3）背板 / 中板（Backplane / Midplane）
（由於講師需整合最新業界動態與即時資訊，詳細研討會大綱將於活動前一個月正式補齊，敬請期待。）
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