在半導體業界，面對ADAS、遠端醫療、AI等新應用所需的技術，包括省電、高速化與大容量化。為了達成省電，功率元件材料正在發生變革；
在高速化方面，CPU、GPU的晶體管數量不斷增加；
在大容量化方面，高密度堆疊的記憶體技術逐漸顯現。
本主題首先介紹至今半導體封裝的演變，以及對應封止材的性能需求變化與設計手法，並具體說明新材料在應對SiC與GaN功率元件，以及2.1D、2.5D與HBM技術中，對超高耐熱、低介電、高熱傳導等新要求特性的產品設計方法。
一、半導體封裝
1-1 封裝結構
1-2 從大面積元件到Chiplet
1-3 2.1D、2.5D、3D所需技術
1-4 從封止材觀點看封裝分類
二、功率元件用封止樹脂
2-1 功率元件的應用
2-2 元件的發展趨勢
2-3 功率元件與封止材市場
2-4 封止樹脂的要求項目
2-4-1 超高耐熱
2-4-2 高純度
2-4-3 阻燃性
三、IC封裝用封止樹脂
3-1 IC封裝用封止樹脂要求
3-1-1 耐熱性與耐濕性的兼顧
3-1-2 對殘留應力的應對
3-1-3 提升密著性
3-2 線焊接用封止樹脂
3-2-1 封止樹脂的成型方法
1) 轉印成型
2) 壓縮成型
3) 點膠、印刷
3-2-2 封止樹脂的作業性
3-2-3 封止樹脂的設計
3-3 翻轉晶片（Flip Chip）用封止樹脂
3-3-1 封止樹脂的供應方式
1) 前供應（NCP/NCF）
2) 後供應（毛細管底部填充）
3-3-2 封止樹脂的作業性
3-3-3 封止樹脂的設計
3-4 WLP用封止樹脂
3-4-1 FO-WLP/FI-WLP概念
3-4-2 FO-WLP結構
1) RDL First
2) Chip First
3-4-3 FO-WLP的成型方法
3-4-4 FO-WLP的課題
3-4-5 封止樹脂要求特性
3-4-6 封止樹脂設計
1) 低介電率
2) 高熱傳導性
四、半導體封止材的評估方法
4-1 作業性、反應性的評估
4-2 電氣特性的評估
4-3 對殘留應力的評估
4-4 吸濕回流的評估
4-5 不純物離子相關的評估
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