隨著記憶體、微處理器等裝置高積體化的需求增加，以及手機終端、資訊設備等高性能化的推動，這種需求愈發強烈。支撐微細加工的微影（光刻）技術，目前已在最先進的2nm節點量產製程中使用EUV，其重要性持續增大。EUV光阻也在應對這一微影（光刻）技術變革的過程中不斷進展。
本講演將在介紹最新技術路線圖與EUV微影（光刻）概述後，說明EUV光阻的基礎與要求特性、課題與對策，以及最新技術動向。同時也會詳述備受關注的EUV金屬光阻與EUV金屬乾式光阻製程。最後，整理未來EUV光阻的技術展望與市場動向。
一、技術路線圖
1-1 微影（光刻）技術及光阻材料的要求特性
1-2 對應微細化的微影（光刻）技術選擇方案
1-3 最先進裝置的技術動向
二、EUV微影（光刻）概述
2-1 曝光設備
2-2 光源
2-3 光罩
三、EUV光阻介紹
3-1 EUV光阻的設計指引
3-2 化學增幅型EUV光阻的反應機制
3-3 EUV光阻製程
四、EUV光阻的要求特性
4-1 化學增幅型EUV光阻用聚合物
4-2 化學增幅型EUV光阻用酸生成劑與熄滅劑
五、EUV光阻的課題與對策
5-1 感度 / 解像度 / 粗糙度的折衷
5-2 隨機缺陷（Stochastic Effects）
5-3 EUV光阻的開發動向
5-3-1 使用聚合物鍵合酸生成劑的化學增幅型光阻
5-3-2 負型光阻製程
六、EUV金屬光阻
6-1 EUV金屬光阻用材料
6-2 EUV金屬光阻的反應機制
6-3 EUV金屬光阻的性能與開發動向
七、EUV金屬乾式光阻製程
7-1 EUV金屬乾式光阻製程用材料
7-2 EUV金屬乾式光阻製程的反應機制
7-3 EUV金屬乾式光阻製程的性能與開發動向
八、EUV光阻的技術展望與市場動向
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