半導體與液晶元件的高密度化正以驚人的速度推進。為了在更短時間內加工出更微細的線路圖形，高解析度且高感度的光阻材料（光聚合物、Photo Polymer／Resist）的開發至關重要。
具體而言，目前正從化學結構與製程兩個面向，著手開發用於 EUV（極紫外線）與 i線曝光 的化學增幅型三成分光阻材料（由基礎樹脂、溶解抑制劑與產酸劑所組成）。
講師曾任職於日本半導體設備製造商（現已退職），參與 64M DRAM 用化學增幅型光阻材料與製程技術 的開發工作。
圖：新型微影技術的開發
本研討會將從半導體光阻技術的基礎開始解說，特別針對光阻材料（感光性樹脂）與製程、酚醛樹脂（Novolak）系正型光阻，以及化學放大型三成分（基材樹脂、溶解抑制劑、產酸劑）正型光阻，逐一說明其化學組成與光阻特性之間的關聯。
在半導體、LCD 等電子裝置的製造中，透過反覆進行成膜、圖案形成（光阻塗佈、曝光、顯影）、蝕刻、光阻剝離、清洗等流程，可在基板上形成具有微細構造的電晶體。這些流程統稱為微影（光刻）製程，通常需要重複約 20 至 30 次。本次演講將特別針對光阻材料（感光性樹脂）與製程進行說明，同時深入解析酚醛樹脂系正型光阻以及化學放大型三成分（基材樹脂、溶解抑制劑、產酸劑）正型光阻的化學構成與光阻特性之間的關係。
此外，也將以講者作為前半導體裝置製造商的視角，詳細說明光阻原料供應商（材料廠）在評估光阻時所採用的具體測試方法。
一、感光性光阻的基礎與微影工程解說
1-1 什麼是感光性光阻？
1-2 關於微影（光刻）技術
1-3 光阻的塗佈、曝光、曝光後烘烤（PEB）、顯影製程概要
二、光阻設計的演進與作用機制
2-1 半導體／電子裝置的演進與光阻設計的變遷
2-2 光阻的基本原理
2-3 光阻的顯影特性
三、酚醛樹脂（Novolak）系正型光阻的材料設計
3-1 使用光阻顯影分析儀（RDA）進行顯影特性評估
3-2 酚醛系正型光阻的分子量與光阻特性之關係
3-3 改變酚醛系正型光阻的前烘（Pre-bake）溫度進行特性評估
3-4 變更 PAC（光致鹼溶解抑制劑）酯化率對光阻特性的影響
3-5 顯影溫度與酚醛系正型光阻特性之間的關係
四、化學放大型正型光阻的材料設計
4-1 化學放大型三成分光阻的基材樹脂與光阻特性
．基材樹脂
．溶解抑制劑
．產酸劑
4-2 化學放大型三成分光阻的溶解抑制劑與光阻特性
4-3 化學放大型三成分光阻的產酸劑與光阻特性
4-4 向 EUV 光阻的技術延伸
4-5 向 i 線厚膜光阻的技術延伸
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