詳解光阻材料（感光性樹脂）與製程相關內容，講解Novolak正型光阻劑及極紫外線（EUV）光阻劑的材料設計、感光度與解析度提升技術、化学増幅系3成分（包含基樹脂、溶解抑制劑、酸發生劑）正型光阻劑中的化學成分及其與光阻劑特性之間的關係。
在光阻劑去除技術部份，將介紹一項環保的新技術，利用氫自由基、濕潤ozone及micro-bubble水等活性物質的環保光阻劑去除技術，並以簡單易懂的方式進行解說。
此外，講師曾經任職於設備製造商，將分享「向光阻劑製造廠提供原料的材料製造廠，所採用的具體光阻劑評估方法」
【聽眾對象】
半導體、光阻材料相關技術人員、研發者及製造銷售負責人
【習得知識】
·光阻劑製造的基礎知識與材料設計指導原則
·使用光阻劑時的注意事項
·微影製程
·原料製造商和光阻劑製造商對設備製造商的支援能力
·光阻材料的深入理解
·光阻劑評估方法
·光阻劑去除（剝離）技術
一、感光性光阻劑的基礎與微影製程解析
1-1 感光性光阻劑介紹
1-2 微影技術
1-3 光阻劑塗佈、曝光、曝光後烘烤（PEB）、顯影過程概述
二、光阻劑設計的演變與作用機制
2-1 半導體與電子設備的進化與光阻劑設計的變遷
2-2 光阻劑的基本原理
2-3 光阻劑的顯影特性
三、Novolak正型光阻劑的材料設計
3-1 使用光阻劑顯影分析儀（RDA）評估顯影特性
3-2 Novolak正型光阻劑的分子量與光刻膠特性之間的關係
3-3 改變預烘烤溫度對「Novolak正型光阻劑」特性的影響
3-4 改變PAC的酯化率對「Novolak正型光阻劑」的影響
3-5 「Novolak正型光阻劑」的顯影溫度與光阻劑特性之間的關係
四、化學增幅正型光阻劑的材料設計
4-1 化學增幅型3成分光阻劑的基樹脂與光阻劑特性
4-2 化學增幅型3成分光阻劑的溶解抑制劑與光阻劑特性
4-3 化學增幅型3成分光阻劑的酸發生劑與光阻劑特性
4-4 EUV光阻劑的發展
4-5 i線厚膜光阻劑的發展
五、環保型新型光阻劑去除技術
5-1 使用氫自由基作為活性物質的去除技術
5-2 使用濕潤ozone作為活性物質的去除技術
5-3 使用臭氧bubble水作為活性物質的去除技術
5-4 經過離子注入處理後的光阻劑化學結構與去除技術
三建可為企業規劃專屬內訓課程，含客製化大綱、講師派遣與教材配套。