世界各國在汽車電動化（xEV）開發方面已取得顯著進展。到2030年代，日美歐中等地將禁止銷售新的燃油車，xEV（電動車、插電式混合動力車等）已經成為一個不可忽視的巨大潮流。同時，隨著AI人工智慧的快速發展，全球各地的資料中心也在不斷加速建設。資料中心的電力消耗巨大，因此，降低伺服器電源能耗已成為當前的迫切課題。
為了推動xEV化以及伺服器電源效率的提升，高性能的功率元件必不可少，尤其是作為新型材料的SiC/GaN功率元件，其普及潛力被寄予厚望。然而，目前這些SiC/GaN功率元件在性能、可靠性以及價格等方面仍未能完全滿足市場的需求。在本課題中，我們將深入分析SiC/GaN功率元件的未來發展，並以強勁的競爭對手——矽（Si）元件的最新動向為基礎，進行簡明易懂的解說。

【習得知識】
．數據中心用電源及xEV中功率元件的應用
．功率元件整體的最新技術動向
．Si/SiC/GaN元件與封裝的最新技術
．Si/SiC元件的特有設計與製程技術等

一、功率電子學
1-1 功率電子與功率元件的功能
1-2 功率元件的種類與基本結構
1-3 功率元件的應用領域
1-4 高頻運作的優勢
1-5 功率元件開發的關鍵點

二、最新矽（Si）功率元件的進展與挑戰
2-1 MOSFET與IGBT開發的要點
2-2 特性提升的挑戰
2-3 支持MOSFET與IGBT特性改進的技術
2-4 最新的MOSFET與IGBT技術：矽元件仍在特性改進中
2-5 新結構IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）的開發

三、SiC功率元件的現狀與挑戰 
3-1 寬能隙半導體是什麼？
3-2 SiC對比矽（Si）的優勢
3-3 SiC-MOSFET製程
3-4 SiC元件普及與擴展的要點
3-5 SiC-MOSFET特性改進與可靠性提升的要點
3-6 最新SiC-MOSFET技術

四、GaN功率元件的現狀與挑戰 
4-1 GaN元件結構的主流為“橫向GaN on Si”，為何不是GaN on GaN？
4-2 GaN-HEMT的特點與挑戰
4-3 GaN-HEMT的正常關閉技術（Normal-Off）
4-4 GaN功率元件的優勢與劣勢
4-5 垂直GaN元件的最新動向

五、耐高溫封裝技術 
5-1 為何高溫運行會帶來好處？
5-2 SiC-MOSFET模組封裝技術
5-3 SiC-MOSFET模組開發的日益重要性