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【日本專家】矽橋封裝技術與最新動向 | 主題資料庫 | 三建產業資訊

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【日本專家】矽橋封裝技術與最新動向

(114包)2025年1月10日(金) 15:30~17:00 小時 25T00114
三建 SUMKEN CUF Capillary Underfill Underfill 底部填料 Silicon Bridge 矽橋 Fine Pitch Bump Filler

大綱內容

解說IBM提出的矽橋封裝中的封裝技術。介紹封裝結構及其組裝方法後,將說明矽橋與主要晶片之間連接的細間距凸塊的封裝材料填充方法。  
此外,還將介紹主要晶片與有機基板之間的毛細底部填膠過程中空洞形成的挑戰,並提出解決方法。  
最後,將闡述矽橋封裝的最新動向及其未來展望。

一、矽橋封裝的結構與組裝技術
二、Fine Pitch Bump的封裝技術
 2-1 使用非導電膏(Non-Conductive Paste, NCP)進行焊接
 2-2 透過噴射點膠(Jet Dispense)進行毛細底部填膠(Capillary Underfill, CUF)填充方法
三、矽晶片與基板之間的封裝技術
 3-1 觀察毛細底部填膠(CUF)中的空洞形成過程
 3-2 分析底部填充材料的物理性質與流動性
 3-3 晶片間尺寸與CUF流動之間的關係
四、矽橋封裝的未來展望

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