【日本專家】SiC 晶圓的缺陷評估技術
～深入解析溶液成長與質子注入技術！～
大綱內容
～深入解析溶液成長與質子注入技術！～
■習得知識
・SiC 晶體缺陷的基礎知識
・各種缺陷評價手法的深入理解（X-ray 拓撲法、PL 法、偏光顯微鏡法等）
・缺陷對元件特性的影響與相關控制技術
■目次大綱
SiC 功率元件已廣泛導入新幹線、電動車等領域，社會實際應用正逐步擴大。然而，與 Si 不同的是，SiC 晶圓中包含多種類型的晶體缺陷，這些缺陷會對生產性與可靠性造成重大影響。本主題將從 SiC 的晶體結構與缺陷介紹開始，說明缺陷對元件特性的影響、各種缺陷評價方法（X-ray、PL、偏光觀察等），並進一步解說缺陷控制技術（溶液成長、質子注入）。目標是讓聽眾在結束後能掌握 SiC 晶體缺陷的理解、評價與控制的最新知識。
（1）SiC 功率元件與晶體缺陷
（2）SiC 的晶體結構與多型性
（3）晶體缺陷的介紹
（4）晶體缺陷的種類與分類（點缺陷、線缺陷、面缺陷、體積缺陷）
（5）SiC 晶體缺陷的種類與對元件的影響（微管、穿通位錯）
（6）SiC 晶體缺陷的種類與對元件的影響（基底面位錯）
（7）SiC 晶體缺陷的種類與對元件的影響（堆疊缺陷與通電劣化）
（8）位錯理論基礎（刃狀位錯、螺旋位錯、混合位錯）
（9）晶體缺陷評價方法概述
（10）各式晶體缺陷評價法（X-ray 拓撲法）
（11）各式晶體缺陷評價法（KOH 蝕刻）
（12）各式晶體缺陷評價法（光致發光法 PL）
（13）各式晶體缺陷評價法（偏光觀察法）
（14）多模態解析（結合多種手法的缺陷評價）
（15）缺陷自動檢出（影像處理、AI 應用）
（16）以溶液成長降低 SiC 晶體缺陷
（17）溶液成長中位錯轉換之機制
（18）厚膜成長帶來的高品質化與位錯密度降低
（19）透過質子注入抑制堆疊缺陷擴張
（20）透過離子注入抑制元件劣化
（21）總結與未來展望