CMP（Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨）不僅是半導體製程中的一個步驟，更是決定先進技術可行性、晶片效能與供應鏈議價能力的關鍵節點，對企業的成長性和獲利能力有深遠影響。CMP是一項結合化學反應與物理研磨的平坦化技術，為半導體前段製程中不可或缺的關鍵製程之一。其主要目的在於去除多層結構所造成的表面不平整，使晶圓表面達到高度平坦，確保後續微影與配線製程能穩定進行。
CMP 製程主要由三個要素所構成
Chemical（化學作用）：利用酸、鹼、氧化劑等化學藥液，促使材料表面發生化學反應
Mechanical（物理作用）：透過研磨材，如 SiO₂、Al₂O₃、CeO₂ 等砥粒進行物理研磨
Planarization（平坦化）：結合化學與機械作用，實現晶圓表面的整體平坦化
在研磨過程中，晶圓表面會產生削屑、殘留砥粒，以及金屬或有機污染物，因此在 CMP 完成後，必須搭配後續洗淨製程以確保表面清潔。對於邏輯積體電路（Logic IC）而言，表面平坦度直接影響微影製程的曝光與對焦精度。若積層結構不夠平坦，將導致圖案轉印失敗，進而影響元件效能與製程良率。因此，CMP 技術可說是多層結構晶片製造的基礎。
圖：CMP研磨側面圖（經濟部產業技術司網站／資料來源：wisem(2005)）
目前多數 CMP 設備已將研磨與後續洗淨整合於同一系統中，以不同模組依序完成製程。後續洗淨設計上兼顧物理與化學作用，在有效去除污染物的同時，避免過度施加物理力，以降低晶圓表面刮傷或缺陷風險。
CMP 屬於半導體前段製程的一環，針對不同研磨對象層，需開發相對應的專用洗淨藥液。一般 CMP 後續洗淨液多由螯合（錯化）劑、界面活性劑、還原劑及 pH 調整劑等組成，為成分相對單純、金屬離子與不溶性微粒含量極低的水溶液，產品通常以 200 公升或 20 公升容器形式供應。
CMP 製程的應用層別涵蓋 STI／ILD（SiOx 膜）、鎢塞（W Plug）、銅配線，以及 Cu／Co Liner 配線等。隨著製程微縮與新材料導入，CMP 後續洗淨技術正朝向更低缺陷、更低材料耗損，以及更高材料相容性的方向發展。同時，因應環境、健康與永續（EHS）的要求，針對 TMAH 及其相關化合物的替代與減量，也成為洗淨藥液開發的重要課題。