隨著大型語言模型（LLM）不斷擴大，甚至超過萬億參數規模，運算效能日益受限於資料傳輸頻寬，導致嚴重的「記憶體牆」（Memory Wall）瓶頸，因此具備高頻寬與低能耗特性的HBM，已成為AI加速器的核心配置。因應此趨勢，三大DRAM製造商紛紛將產能轉向高階伺服器DRAM和HBM，利潤也創下歷史新高。
全球三大HBM廠商
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供應商 |
HBM市占率 |
2026市場動向 |
2026產能狀態 |
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SK海力士（SK Hynix） |
5成以上，拿下NVIDIA逾5成供應份額 |
在南韓清州興建一座新廠，加速量產最新HBM4 |
全數售罄 |
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三星（Samsung） |
目標今年破3成 |
搶先啟動HBM4量產 |
已通過NVIDIA認證 |
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美光（Micron） |
10%-15% |
將原本生產一般DRAM與 NAND Flash的資源轉向HBM |
全數售罄 |
HBM技術核心
HBM採用多層DRAM晶片進行垂直堆疊，並透過矽穿孔（Through-Silicon Via, TSV）技術，將各層晶片直接連接，使資料能在晶片間高速上下傳輸。相較傳統DRAM，HBM可提供數倍以上的記憶體頻寬，有效降低資料存取延遲，讓AI模型運算更加順暢。
SK海力士（SK Hynix）－全球HBM市場龍頭
優勢：TSV良率、基礎層（Base Die）成熟度高，成為NVIDIA、AMD等大廠的主要記憶體供應商。
主力產品：12層HBM3E（36GB）產品，擁有超過5成市佔率。12層HBM4已完成驗證，於2026年初進入量產階段，其HBM4基礎層已導入最新1b DRAM製程，良率與產能穩定度具領先優勢。
最新動態：今年初首度公開16層HBM4（48GB）産品，傳輸速度高達11.7Gbps。此外，已提前展開HBM5量產前置作業，並與美國記憶體大廠SanDisk合作推動HBF（High Bandwidth Flash）技術生態系與規格發展。
三星（Samsung）－自有晶圓製程與封裝能力
優勢：擁有從晶圓、先進封裝到模組整合的完整製造能力，DRAM出貨量與市占率居冠。
主力產品：新一代HBM4晶片規劃在2026年第一季開始交貨，公司方面宣稱是全球首家交付HBM4的業者。首款出貨的HBM4採用1c（第六代 10nm 級）DRAM製程與4nm邏輯底層，資料傳輸速率高達每秒11.7Gbps，最高可超頻至13Gbps。12層推疊提供24GB至36GB容量，16層堆疊容量選項可擴充至48GB。
最新動態：透過對NVIDIA及其他大型科技公司供應HBM，公司目標今年HBM市占率達3成。
美光（Micron）－美系記憶體核心供應商
優勢：美國最大、也是目前唯一具規模量產能力的DRAM製造商，對美國本土記憶體供應鏈穩定性與先進製程技術自主具有重要戰略地位。主攻傳統DRAM（如 DDR5、LPDDR5X）與車用、工業等利基應用領域。
主力產品：最新發表的HBM4容量高達36GB，速度超過11Gbps，採用12層堆疊技術，產品定位鎖定高階AI與高效能運算市場，已向多家重要客戶交付樣品。公司高層亦表示，HBM4已提前進入量產初期並開始出貨，2026全年HBM產能已全數售罄。
最新動態：近期在台灣、美國、新加坡接連推動收購及擴廠計畫，擴增DRAM與先進封裝產能，積極布局HBM供應鏈。
首圖來源：SK海力士官網